上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应,有偏移为不良。()

第1题

上芯后兰膜检查项目有（)。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第2题

关于上芯顶针痕迹监控项目，描述错误的有：（)。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第3题

上芯后的兰膜目测检查项目有（)。

A.顶针是否偏移

B.是否有背崩

C.是否漏芯片

D.是否有沾污

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第4题

上芯后兰膜检查项目有哪些（)。

A.顶针孔是否有顶破兰膜

B.顶针孔位置是否位于芯片中心

C.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

D.是否漏好芯片

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第5题

上芯后兰膜的检查目的是为了预警崩单晶、翘片、沾污、漏芯片。（)

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第6题

作业员对卸下的兰膜检查项目有（)。

A.漏粘好芯片

B.顶针印迹偏移

C.背崩

D.粘边缘片

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第7题

上芯后兰膜检查频次为（)。

A.1次/更换晶圆

B.1次/更换产品

C.1次/更换客户

D.1次/更换封装形式

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第8题

WAFERMAPPING产品在上芯过程中若出现跳行。跳列有芯片遗漏在蓝膜上时应该：（)。

A.从圆片起始位置重新跳步做起

B.手工补片或移行后重做

C.关掉MAP捡拾遗漏芯片

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第9题

上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且各片晶圆之间应保持4槽以上的间隔。（)

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第10题

上芯常用的顶针的规格有（)

A.40

B.80

C.100

D.150

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第11题

上芯加工完的兰膜由操作员确认签字。（)

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上芯后兰膜上顶针痕迹与芯片中心不对应，有偏移为不良。（)