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[判断题]

上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且各片晶圆之间应保持4槽以上的间隔。()

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更多“上芯完退库兰膜在烘烤时,每个提篮中最多放置不超过5片晶圆,且各片晶圆之间应保持4槽以上的间隔。()”相关的问题

第1题

上芯加工完的兰膜由()确认签字。

A.操作员

B.物料员

C.生产组长

D.领班

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第2题

关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第3题

上芯后兰膜检查项目有哪些()。

A.顶针孔是否有顶破兰膜

B.顶针孔位置是否位于芯片中心

C.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

D.是否漏好芯片

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第4题

上芯后的兰膜目测检查项目有()。

A.顶针是否偏移

B.是否有背崩

C.是否漏芯片

D.是否有沾污

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第5题

下列异常属于上芯造成的是()

A.粘兰膜

B.银浆沾污

C.断丝

D.背银脱落

E.粘墨点

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第6题

上芯后兰膜检查频次为()。

A.1次/更换晶圆

B.1次/更换产品

C.1次/更换客户

D.1次/更换封装形式

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第7题

上芯后兰膜检查项目有()。

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜,造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

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第8题

上芯检测银浆空洞的时机是()。

A.烘烤前

B.烘烤后

C.烘烤时

D.装片时

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第9题

以下()会造成上芯过程中混批。

A.产品收尾时未将产品清理干净

B.抽检后产品归位放错或是卡物分离造成混批

C.晶圆上机前未核对批号,造成晶圆混料

D.产品在传递,烘烤过程前后将流程卡放错造成混批

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第10题

粘片胶寿命管控的说法正确的有()

A.粘片胶管理员在发放粘片胶时必须遵循先进先出的原则,最先完成回温的应优先发放

B.因粘片胶管理员在发放粘片胶时已核对型号,作业员在领取粘片胶后不必再核对粘片胶型号

C.作业员领取粘片胶后,应在设备上设置粘片胶过期报警时间(除AD829A设备)

D.作业员将填写有粘片胶过期时间的标签张贴在设备的要求位置,以便及时注意粘片胶过期时间

E.如果上芯粘片胶过期,而且已经加工产品,加工的产品烘烤后未掉芯可以直接流通

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第11题

上芯固化烘箱烘烤的最高温度是(),上芯快速固化烘箱烘烤的最高温度

A.200℃

B.150℃

C.180℃

D.175℃

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