造成芯片位置不良的因素有（)。

A.框架沾污

B.芯片沾污

C.位置不良

D.框架变形

A.变形

B.压伤

C.芯片蹭歪

D.翘片

A.点胶时芯片表面胶量太少没有完全覆盖芯片表面

B.除了引线框基岛正面，引线框的其它区域有保护胶沾污

C.点胶过程造成金丝变形

D.保护胶高度太高

A.背金属脱落不会造成产品电性能不良

B.单个芯片镀层脱落≥10%为不良

C.整个圆片镀层脱落≥5%为不良

D.整个圆片镀层脱落≥20%为不良

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.沾污

B.芯片压伤划伤

C.芯片光刻不足

D.粘墨点片

A、0.05

B、0.1

C、0.15

D、0.2

A.顶针孔位置是否位于芯片中心

B.顶针孔是否有顶破兰膜，造成兰膜缺损

C.多顶针系统顶针印痕迹轻重程度是否一致

D.兰膜上是否有硅渣及背崩残留

E.背金属晶圆是否有背金属脱落现象

A.0.05

B.0.03

C.0.1

D.0.15

A.np图或P图都可以，两者效果一样

B.np图或P图都可以，np图效果更好

C.np图或P图都可以，p图效果更好

D.以上都不对

A.电机轴承损坏

B.电机轴承上承受过大的轴向力

C.对中不良

D.电机电压不稳