芯片四周角上缺损面积≥()的芯片面积为不良

A.0.05

B.0.03

C.0.1

D.0.15

源上充电，当(1)充足电后;(2)然后平行插入一块面积相同、厚度为δ(δ＜ d)、相对电容率为ε，的电介质板;(3)将上述电介质换为同样大小的导体板。分别求电容器的电容C，极板上的电荷Q和极板间的电场强度E。

A.沾污

B.芯片压伤划伤

C.芯片光刻不足

D.粘墨点片

A、用双四选一74153芯片及基本逻辑门实现：

B、真值表：

C、用与非门实现：

D、用双四选一74153芯片及基本逻辑门实现：

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.晶圆

B.芯片

C.粘片胶

D.引线框架

A.9%

B.18%

C.27%

D.36%

E.46%

按中国九分法计算烧伤面积，头、面、颈部的面积为

A．9％

B．18％

C．27％

D．46％

E．54％