燃硫炉内耐火瓷球的使用温度低于炉子的最高设计温度。（)

底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物

B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物

C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形

D、禁止使用橡皮轮磨光

E、用50～100μm的氧化铝喷砂

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

烤瓷炉真空调节装置的作用是()。

A、防瓷体氧化

B、调节炉膛温度

C、排除炉膛内的空气，保持炉内真空度

D、调节炉膛压力

E、调节炉膛升降

烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好，但出现凹凸不平的现象，其可能原因为

A、烤瓷炉内污染

B、真空不好或没抽真空

C、瓷粉内粗细粒度比例不协调

D、未达到烧烤软化温度和时间

E、不透明瓷层太薄

A.正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡

B.烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃

C.烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外

D.烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊

E.烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温

烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

烤瓷炉烧烤牙用瓷件的温度范围是

A、871～1310℃

B、2000～2500℃

C、500～1500℃

D、300～500℃

E、100～200℃

空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括()。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是()。A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是()。A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

上釉的烧结温度是

A．低于体瓷温度5℃

B．低于体瓷温度10℃

C．低于体瓷温度20℃

D．高于体瓷温度5℃

E．高于体瓷温度10℃