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[主观题]

烤瓷炉烧烤牙用瓷件的温度范围是A、871~1310℃B、2000~2500℃C、500~1500℃D、300~500℃E、100~200℃

烤瓷炉烧烤牙用瓷件的温度范围是

A、871~1310℃

B、2000~2500℃

C、500~1500℃

D、300~500℃

E、100~200℃

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第1题

用烤瓷炉烧烤牙的温度范围是A、500~600℃B、871~1 310℃C、2 000~2 500℃D、300~500℃E、100~200℃

用烤瓷炉烧烤牙的温度范围是

A、500~600℃

B、871~1 310℃

C、2 000~2 500℃

D、300~500℃

E、100~200℃

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第2题

用烤瓷炉烧烤烤瓷牙的温度范围是()。A、100~200℃B、300~499℃C、500~860℃D、871~1260℃E、2000~2500℃

用烤瓷炉烧烤烤瓷牙的温度范围是()。

A、100~200℃

B、300~499℃

C、500~860℃

D、871~1260℃

E、2000~2500℃

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第3题

烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好,但出现凹凸不平的现象,其可能原因为A、烤瓷炉内污染B、真空不好或

烤瓷冠经过烧烤后表面光滑度良好,但出现凹凸不平的现象,其可能原因为

A、烤瓷炉内污染

B、真空不好或没抽真空

C、瓷粉内粗细粒度比例不协调

D、未达到烧烤软化温度和时间

E、不透明瓷层太薄

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第4题

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真
空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括()。A、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间

B、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

C、现时温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

D、现时温度,最终温度,预热时间,升温时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

E、现时温度,最终温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是()。A、31~40℃

B、21~30℃

C、10℃以内

D、11~20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是()。A、烤瓷失败

B、烤瓷失败,烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

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第5题

真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在
烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有2种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A、31~40℃

B、21~30℃

C、10℃以内

D、11~20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触,如果接触,可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败,烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间

B、预热温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

C、现时温度,烤瓷温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

D、现时温度,最终温度,预热时间,升温时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

E、现时温度,最终温度,预热时间,烤瓷时间,最终温度持续时间,真空烤瓷时间

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第6题

导致烤瓷熔附金属全冠崩瓷的原因不包括()。

A.基牙外形过大

B.金属基底表面污染

C.烤瓷烧烤次数较多

D.烤瓷厚度不均匀

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第7题

与烤瓷冠桥牙本质和切端层中出现气泡无关的因素是A.在瓷粉混合时有杂质B.烧烤时升温速度过快,抽

与烤瓷冠桥牙本质和切端层中出现气泡无关的因素是

A.在瓷粉混合时有杂质

B.烧烤时升温速度过快,抽真空速率过慢

C.不透明层有气泡

D.牙本质层瓷层过厚

E.烤瓷炉密封圈处有异物,影响真空度

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第8题

PFNI牙本质的切端层中出现气泡,可能的原因有

A.不透明瓷层有气泡

B.瓷粉堆积时混入气泡

C.烧烤时升温速度过快,抽真空速率过慢

D.烤瓷炉密封圈处有异物,影响真空度

E.在瓷粉混合中或混合后有杂质

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第9题

烤瓷牙烧烤后表面光滑度好,但出现凹凸不平的颗粒状或坑洼状表面,最可能的原因是A.颈缘瓷过长B.筑

烤瓷牙烧烤后表面光滑度好,但出现凹凸不平的颗粒状或坑洼状表面,最可能的原因是

A.颈缘瓷过长

B.筑瓷过程中没注意吸干水分

C.烤瓷炉真空度不够

D.咬合关系太紧

E.金-瓷不匹配

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第10题

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基
底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物

B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物

C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形

D、禁止使用橡皮轮磨光

E、用50~100μm的氧化铝喷砂

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm

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