硅晶体二极管的死区电压约为0.5V,导通压降约为0.7V。()

第1题

锗晶体二极管的死区电压约为0.2V，导通压降约为0.5V。（）

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第2题

硅晶体管的死区电压约为（)。

A.0.1V

B.0.2V

C.0.3V

D.0.5V

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第3题

在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压约为0.7V。（）

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第4题

对于晶体二极管来说，以下说法错误的是（)。

A.正向电阻很小

B.无论加多大的反向电压，都不会导通

C.未被反向击穿前，反向电阻很大

D.所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通

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第5题

三极管的导通电压为()。

三极管的导通电压为（)。

A . 硅管0.3V

B . 锗管0.7V

C . 硅管0.7V

D . 硅管0.5V

E . 锗管0.3V

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第6题

硅三极管发射结的死区电压约0.5V，锗三极管发射结的死区电压约0.2V。（)

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第7题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第8题

在常温下，硅二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V；锗二极管的门槛电压约为___V，导通后在较大电流下的正向压降约为___V。

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第9题

晶体二极管若为硅管则能导通，为锗管则一定不通。（)

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第10题

一般硅二级管的死区电压为()，锗二级管的死区电压约为()。

一般硅二级管的死区电压为（)，锗二级管的死区电压约为（)。

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第11题

锗晶体管的导通压降|UBE|约为（)。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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硅晶体二极管的死区电压约为0.5V，导通压降约为0.7V。（）