在常温下,锗二极管的死区电压约为0.5V,正向导通电压约为0.7V。()

第1题

在下列关于锗二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1～0.2V/0.3V

B.0.2～0.3V/0.7V

C.0.3～0.5V/0.7V

D.0.5V/0.7V

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第2题

硅三极管发射结的死区电压约0.5V，锗三极管发射结的死区电压约0.2V。（)

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第3题

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第4题

锗材料二极管的PN结导通电压典型值为（)。

A.0.5V

B.0.1V

C.0.3V

D.0.7V

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第5题

锗材料二极管的死区电压为（)伏。

A.0.1

B.0.4

C.0.5

D.0.7

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第6题

什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？

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第7题

硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

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第8题

锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()

锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

此题为判断题(对，错)。

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第9题

锗晶体管的导通压降|UBE|约为（)。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第10题

对二极管模型的描述不正确的是（)。

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA

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第11题

在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较差。（)

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在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压约为0.7V。（）