锗晶体二极管的死区电压约为0.2V，导通压降约为0.5V。（）

A.外加电压大于死区电压二极管才能导通

B.外加电压小于于死区电压二极管才能导通

C.只要外加电压就可以导通

D.三者皆不是

A.正向电阻很小

B.无论加多大的反向电压，都不会导通

C.未被反向击穿前，反向电阻很大

D.所加正向电压大于死区电压时，二极管才算真正导通

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

A.0.1～0.2V/0.3V

B.0.2～0.3V/0.7V

C.0.3～0.5V/0.7V

D.0.5V/0.7V

A.二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关

B.二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V

C.二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大

D.二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA

(1)若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少？

(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引

(3)若U_i=0.1V时,U₀=5V,则反馈网络中电阻的取值约为多少？

A.导电

B.不导电

C.导通

D.不导通