A.1
B.2
C.3
D.4
第1题
第2题
第3题
A.0
B.1
C.2
D.3
第4题
A.2
B.4
C.6
D.8
第5题
A.异质 pn 结的高注入特性是区别同质 pn 结的主要特点之一
B.决定同质pn结注入比的是掺杂浓度,要想获得大的注入比就要求
C.决定异质pn结注入比的是 ,通常可获得较大的注入比
D.同质pn结具有比异质pn结更大的注入比
第6题
A.0.5V
B.0.1V
C.0.3V
D.0.7V
第7题
A.多子扩散
B.少子扩散
C.多子漂移
D.少子漂移
第8题
A.四层三端器件
B.三层四端器件
C.四个PN结的器件
D.电压驱动型器件
第9题
A.硅元素
B.由PN结构成的二极管
C.硅晶圆
D.门电路
第10题
A.给半导体器件接出金属引线
B.制作肖特基势垒二极管
C.制作PN结二极管
D.制作晶体管
第11题
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