以下哪种情况需要金属和半导体间形成欧姆接触？（)

A.金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触

B.金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触

C.金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触

D.金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触

A.形成固溶体

B.形成组织金属间化合物

C.混合物

以下哪种情况不宜做金属烤瓷全冠修复

A、牙体缺损较大而无法充填治疗者

B、氟牙症、变色牙

C、前牙错位、扭转

D、青少年恒牙

E、小牙畸形

以下哪种情况不宜做金属烤瓷全冠修复

A．牙体缺损较大而无法充填治疗者

B．氟斑牙、变色牙

C．前牙错位、扭转

D．青少年恒牙

E．小牙畸形

在粘接修复技术中，以下对黏结力的形成描述错误的是

A、化学结合

B、相互混合

C、氢键结合

D、嵌合

E、原子间结合

以下哪种情况不宜行金属烤瓷全冠修复

A、牙体缺损较大而无法充填治疗者

B、氟斑牙

C、前牙错位、扭转

D、青少年恒牙

E、变色牙

以下哪种情况不适宜做金属烤瓷全冠修复

A.氟斑牙，变色牙

B.青少年畸形牙

C.小牙畸形

D.前牙扭转、错位

E.牙体缺损较大无法充填治疗者

以下哪种情况不宜做金属烤瓷全冠修复

A．牙体缺损较大而无法充填治疗者

B．氟斑牙、变色牙

C．前牙错位、扭转

D．青少年恒牙

E．小牙畸形

A、牙体缺损较大而无法充填治疗者

B、氟斑牙、变色牙

C、前牙错位、扭转

D、青少年恒牙

E、小牙畸形

A.内倾型深复拾病人的下前牙缺失时

B.深复牙合病人的上前牙缺失

C.深复牙合病人的后牙缺失

D.上前牙缺失的深复牙合病人，在下前牙与上腭粘膜间只能预备出1~1.5mm毫米的间隙

E.前牙缺失需升高咬牙合时

A.氟斑牙、四环素牙、染色牙

B.牙体缺损过大的牙

C.前牙错位，扭转而不宜作正畸治疗者

D.需要作烤瓷桥固位体的基牙

E.青少年恒牙