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[判断题]

硅稳压管和一般二极管的特性基本相似,所不同的是一般二极管在反向电压较大时被击穿而损坏。()

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更多“硅稳压管和一般二极管的特性基本相似,所不同的是一般二极管在反向电压较大时被击穿而损坏。()”相关的问题

第1题

硅稳压管与普通二极管一样,当反向电压达到击穿电压时,将击穿损坏。()
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第2题

芯片是由半导体材料制作而成的,其基本元器件是:()。

A.硅元素

B.由PN结构成的二极管

C.硅晶圆

D.门电路

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第3题

电路如图题1-7所示,稳压管为硅管,正向导通压降为uD=0.7V且稳定定压Uz=8V,设us=15s
inωtV,试画出电压uo的波形。

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第4题

温度每增加10摄氏度,硅或锗二极管的反向饱和电流约增为原来的()倍。

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第5题

关于传感器的基本特性(静态特性,动态特性),静态特性和动态特性的区别。以下说法正确的有()。

A.传感器的静态特性是指对于静态的输入信号,传感器的输出量与输入量之间所具有的相互关系,此时输入信号和输出量均与时间无关;而当传感器的输入量随时间变化时,其输出量的响应特性就是动态特性

B.衡量传感器的动态特性则主要用传感器对某些标准输入信号的响应来反映。如阶跃响应(包含过渡响应过程中特性参数:时间常数、上升时间、响应时间、振荡次数、稳态误差等)和频率响应(各阶传感器的数学模型)

C.传感器的基本特性是指传感器的输出与输入之间关系的特性,一般分为静态特性和动态特性两大类

D.衡量传感器的静态特性必的重要指标主要是测量范围、线性度、迟滞、重复性、灵敏度、分辨力和温度稳定性等

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第6题

二极管为硅管,试判断其状态。若换为锗管,能否导通,求电流。

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第7题

电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静
电路如图题3.4.14所示,D为硅二极管,VD=2V,R=1千欧,正弦信号ve=50sin(2πx50t)mV。(1)静

态(即ve=0)时,求二极管中的静态电流和v0的静态电压;(2)动态时,求二极管中的交流电流振幅和v0的交流电压振幅;(3)求输出电压v0的总量。

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第8题

对任何药物,个体之间的反应性不同,多数人基本相似,少数人敏感或耐受,有量的差异或有质的不同是A、

对任何药物,个体之间的反应性不同,多数人基本相似,少数人敏感或耐受,有量的差异或有质的不同是

A、药物的体内活化

B、个体差异

C、耐受性

D、精神因素和病理状态

E、时辰和药物作用

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第9题

关于生物半衰期的叙述错误的是

A.正常人的生物半衰期基本相似

B.体内药量或血药浓度降低一半所需要的时间

C.肾功能、肝功能低下者,药物生物半衰期延长

D.药物的生物半衰期可以衡量药物消除速度的快慢

E.具有相似药理作用、结构类似的药物,其生物半衰期一样

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第10题

二极管、三极管和晶闸管等半导体器件是利用了半导体的热敏特性。()
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第11题

电路如图所示,D1,D2为硅二极管,当vs = 6sinwt V时,用恒压降模型分析电路时,输出电压vO的波形是() 。

A、

B、

C、

D、

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