源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

电路如图题4.5.4（主教材图4.5.1)所示。设R_g=0.75千欧，R_g1=R_g2=240千欧，R_s1=4千

欧。场效应管的g_m=11.3mS，r_ds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益A_rs=v₀/v_s、输入电阻R₁和输出电阻R₀。

图题9.2.2电路为一个回差可调的施密特电路，它是利用射极跟随器的射极电阻来调节回差的。

(1)分析电路的工作原理;

(2)当R_e1在50~100Ω的范围内变动时，试计算回差的变化范围。

A.共射电路

B.差动放大电路

C.共基电路

D.射极跟随器

A.压制干扰

B.对脉冲信号进行功率放大

C.改善闪烁探测器与放大电路的匹配

D.提供高压

比例式电流源电路如图LP4-49所示,已知各晶体管特性一致,Υ_BE（on)=0.7Υ,β=100,|V_A|=120Υ

,试求I_C1、I_C3和T₃侧的输出交流电阻R_s3.

电路如图题9.6.2所示。(1)试从相位平衡条件分析电路能否产生正弦波振荡;(2)若能振荡，R_f和R_e1的值应有何关系？振荡频率是多少？为了稳幅，电路中哪个电阻可采用热敏电阻，其温度系数如何？

已知电路参数如图题4.4.3所示，FET工作点上的g_m=1mS，设r_dm＞ R_d。（1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益A_F;(3)求放大器的输入电阻R_i。

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示（其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：（1)该管

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

设计三个电压比较器,它们的电压传输特性分别如图P8.15(a)、(b)、(c)所示.要求合理选择电路中各电阻的阻值,限定最大值为50kΩ.