已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri。
第1题
一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.
第2题
题9.20图(a)所示电路中,输入电压ur的波形如图(b)所示,已知电容的初始电压为零。(1)指出A1、A2、A3各组成何种电路;(2)画出各输出电压u01、u02和u0的波形,标出有关电压值。
第3题
第4题
由OD异或门和OD与非门构成的电路及输入电压波形如图题3.3.6所示。
(1) 试写出输出与输入的逻辑关系式,画出输出电压波形。
(2) 已知输出低电平VOL(max)=0.33V时的最大输出电流IOL(max)=4mA,输出高电平VOH(min)=4.4V时的漏电流lOZ=5μA,计算Rp(min)和Rp(max)。
第5题
在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中,已知R1=10kΩ,R2=20kΩ。G1、G2为
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压ΔVT。
(2)若电路的输入信号v1波形如图题9.2.1(b)所示,试画出相应的输出电压v0的波形。
第6题
第9题
在图P7.11(a)所示电路中,已知输入电压u1的波形如图(b)所示,当t=0时uc=0.
试画出输出电压uo的波形.