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[主观题]

设常量和数据标号的定义为:(1)画出上述数据或地址的存储形式。(2)写出各标号的地址。

设常量和数据标号的定义为:

设常量和数据标号的定义为:(1)画出上述数据或地址的存储形式。(2)写出各标号的地址。设常量和数据标

(1)画出上述数据或地址的存储形式。

(2)写出各标号的地址。

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更多“设常量和数据标号的定义为:(1)画出上述数据或地址的存储形式。(2)写出各标号的地址。”相关的问题

第1题

由或非门构成的触发器电路如图3.1所示,请写出触发器输出Q的次态方程.图中已给出输入信号a、b、c
的波形.设触发器的初始状态为1,画出输出Q的波形.

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第2题

电路如图P8.22所示,已知集成运放的最大输出电压幅值为±12V,uI的数值在uo1的峰一峰值之间.

(1)求解uo3的占空比与u1的关系式;

(2)设u1=2.5V,画出uo1、uo2和uo3的波形.

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第3题

上述描述定义,属二型观测线的是A.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线B.基牙向缺隙相反方向倾斜

上述描述定义,属二型观测线的是

A.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线

B.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画出的观测线

C.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的观测线,基牙的近、远缺隙侧均有明显倒凹

D.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的,但基牙的近、远缺隙侧均没有明显倒凹

E.基牙向缺隙方向或者反缺隙方向极度倾斜时形成的,观测线一端接近方,另一端接基牙颈部

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第4题

上述描述定义,属一型观测线的是A.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线B.基牙向缺隙相反方向倾斜

上述描述定义,属一型观测线的是

A.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线

B.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画出的观测线

C.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的观测线,基牙的近、远缺隙侧均有明显倒凹

D.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的,但基牙的近、远缺隙侧均没有明显倒凹

E.基牙向缺隙方向或者反缺隙方向极度倾斜时形成的,观测线一端接近方,另一端接基牙颈部

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第5题

上述描述定义,属三型观测线是A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线B.基牙向颊侧或舌侧倾斜时

上述描述定义,属三型观测线是

A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线

B.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画的观测线,基牙的近、远缺隙侧均有明显倒凹

C.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线

D.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的,但基牙的近、远缺隙侧均没有明显倒凹

E.基牙向缺隙方向或者反缺隙方向极度倾斜时形成的,观测线一端接近方,另一端接近基牙颈部

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第6题

上述描述定义,属于五型观测线是A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线B.基牙向颊侧或舌侧倾斜

上述描述定义,属于五型观测线是

A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线

B.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画的观测线,基牙的近、远缺隙侧均有明显倒凹

C.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线

D.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的,但基牙的近、远缺隙侧均没有明显倒凹

E.基牙向缺隙方向或者反缺隙方向极度倾斜时形成的,观测线一端接近方,另一端接近基牙颈部

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第7题

上述描述定义,属四型观测线是A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线B.基牙向颊侧或舌侧倾斜时

上述描述定义,属四型观测线是

A.基牙向缺隙相反方向倾斜时所画的观测线

B.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画的观测线,基牙的近、远缺隙侧均有明显倒凹

C.基牙向缺隙方向倾斜时所画出的观测线

D.基牙向颊侧或舌侧倾斜时所画出的,但基牙的近、远缺隙侧均没有明显倒凹

E.基牙向缺隙方向或者反缺隙方向极度倾斜时形成的,观测线一端接近方,另一端接近基牙颈部

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第8题

设f是三元原始递归全函数,g定义为(1)若h(x)=,(8(x,y))=0),则此时称h为 递归函数是否妥当?为什

设f是三元原始递归全函数,g定义为

(1)若h(x)=,(8(x,y))=0),则此时称h为 递归函数是否妥当?为什么?

(2)证明下列函数h是μ-递归函数:

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第9题

设h为坐标平面Oxy上与Ox轴正方向构成角θ的向量.(1)求函数在点(1,1)沿h方向的方向导数;(2)当θ为

设h为坐标平面Oxy上与Ox轴正方向构成角θ的向量.

(1)求函数在点(1,1)沿h方向的方向导数;

(2)当θ为何值时,上述方向导数:(i)有最大值;(ii)有最小值;(iii)等于零.

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第10题

设是P上n维线性空间V的一个线性变换。1)证明:对V上的线性函数f,f仍是V上线性函数;2)定义V*到自

是P上n维线性空间V的一个线性变换。

1)证明:对V上的线性函数f,f仍是V上线性函数;

2)定义V*到自身的映射。证明:是V*上的线性变换;

3)设ε1,ε2,...,εn是V的一组基,f1,f2,...,fn是它的对偶基,并设在ε1,ε2,...,εn下的矩阵为A,证明:在f1,f2,...,fn下的矩阵为A'。(因此称作的转置映射。)

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第11题

全口义齿印模型的制作中,以下不正确的是

A.在印模膏阴模的组织面和边缘刮除 2mm左右

B.灌注的模型厚度不超过10mm

C.用铅笔画出两侧翼上颌切迹和腭小凹后 2mm的线

D.用刀沿上述连线刻一深约1~1.5mm的沟

E.沿上述沟向前逐渐变浅刮除石膏,最宽处约5mm

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