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[主观题]

在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);

在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);

在图5-18所示系统中在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为

在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);

(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);

(2)若输入信号为在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);求系统输出信号r(t);

(3)若输入信号为在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);求系统输出信号r(t);

(4)虚框所示系统是否是线性时不变系统?

在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);

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更多“在图5-18所示系统中是自激振荡器,理想低通滤波器的转移函数为(1)求虚框内系统的冲激响应h(t);”相关的问题

第1题

图4-63所示反馈系统,其中以及F都为常数写出系统函数求极点的实部等于零的条件(产生自激振荡).
图4-63所示反馈系统,其中以及F都为常数写出系统函数求极点的实部等于零的条件(产生自激振荡).

图4-63所示反馈系统,其中以及F都为常数

写出系统函数求极点的实部等于零的条件(产生自激振荡).讨论系统出现稳定、不稳定以及临界稳定的条件,在s平面示意绘出这三种情况下极点分布图.

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第2题

图P6.16(a)所示放大电路的波特图如图(b)所示.(1)判断该电路是否会产生自激振荡?简述理由.(2)

图P6.16(a)所示放大电路的波特图如图(b)所示.

(1)判断该电路是否会产生自激振荡?简述理由.

(2)若电路产生了自激振荡,则应采取什么措施消振?要求在图(a)中画出来.

(3)若仅有一个50pF电容,分别接在三个三极管的基极和地之间均未能消振,则将其接在何处有可能消振?为什么?

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第3题

图5-21所示抽样系统理想低通系统函数表达式为输出端可得到,其中a<1,k为实系数.求:(1)画的图形
图5-21所示抽样系统理想低通系统函数表达式为输出端可得到,其中a<1,k为实系数.求:(1)画的图形

图5-21所示抽样系统

理想低通系统函数表达式为

输出端可得到,其中a<1,k为实系数.求:

(1)画的图形;

(2)为实现上述要求给出A取值范围;

(3)求at求k;

(4)此系统在电子测量技术中可构成抽样(采样)示波器,试说明此种示波器的功能特点.

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第4题

在题6.9图所示电路中,设各二极管均为理想二极管,求下列三种情况下的输出电压U0和通过各二
极管的电流。

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第5题

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1
在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1

在图LP6-12所示的反对数变换器中,试证:,其中τ=(R2+R3)/R3VT.已知VR=7V,R1=10kΩ,R2=15.7kΩ,R3=1kΩ,R5=10kΩ,试问:当υs由1mV变到10V时,在室温下相应υ0的变化范围是多少?

设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同.

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第6题

图2-12所示系统是由几个“子系统"组成,各子系统的冲激响应分别为
图2-12所示系统是由几个“子系统"组成,各子系统的冲激响应分别为

(单位延时)

(倒相器)

试求总的系统的冲激响应h(t).

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第7题

在图P9.19的施密特触发电路中,若将输入端VCO经10kΩ电阻接地,如图中所示,试求电路的VT+、V
T-和∆VT。图9.5.1中的比较器Compl和Comp2的输入电流可忽略不计。

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第8题

在图9.1所示的D/A转换器中,UREF=10V,Rf=R=10kΩ;当Di为0时,开关接地,为1时,接运放
反相端.求:

(1)D/A转換器的输出电压的

(2)当D3D2D1D0=0110、1101时,Uo的值.

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第9题

在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第10题

画出图P5.1(a)中SR锁存器Q和Q'端的电压波形。输入端S和R的电压波形如图P5.1(b)所示。

画出图P5.1(a)中SR锁存器Q和Q'端的电压波形。输入端S和R的电压波形如图P5.1(b)所示。

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第11题

试用相平面法分析图2-7-12中所示的系统,在β=0,β<0和β>0三种情况下相轨迹的特点。

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