场效应管共源极电路如图题4.11.3所示,其中VDD=20V,Rg1=300千欧,Rg2=15千欧,,Rg3
第1题
第2题
欧。场效应管的gm=11.3mS,rds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益Ars=v0/vs、输入电阻R1和输出电阻R0。
第3题
共基电路的交流通路如图题6.5.2所示,其中。BJT的,fT=300MHz及Cbe=4pF。试求该电路源电压增益的上限频率fH。
第4题
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
第5题
负载r0设β>1,求电流I0的值;在保证I0相同时,求T3的Re3的值,若r0=100千欧。试比较该电路与用Re3代替电路中r0的分立元件电路时两种电路的差别。设VCC=-VEE=10V,VBE=0.6V。
第6题
)所示。电路参数为,Rg1=180千欧,Rg2=60千欧,Rd=10千欧,RL=20千欧,VDD=10V。(1)试用图解法作出直流负载线,决定静态点Q值;(2)作交流负载线;(3)当vi=0.5sinwt(V)时求出相应的v0波形和电压增益。
第8题
场效应管参数为Kn1=Kn2=1.2mA/V2,VTN1= VTN2=1.9V,λ1=λ2=0。试求该电路的电压增益。
第10题
(1)求静态工作点和跨导;
(2)画出微变等效电路,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
(3)若CS=0,重复(2)的计算。
第11题
电路如图题6.4.5所示,其中VDD=5V,Rsi=2千欧,Rg1=60千欧,Rg2=40千欧,Rd=RL=5.1 千欧,MOS管参数为Kn=0.8mA/V2,VTN=1V,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益ArSM和源电压增益的上限频率fH。