在数控工艺参数中，行距的选择是非常重要的，对粗加工而言，行距一般选为所使用刀具直径的（)左右。

A.生成刀具轨迹

B.选择加工方式和参数

C.轨迹模拟

D.后置处理

药物在胃中不稳定

根据药物的特点和要求，选择合理的片剂工艺或制备方法A、空白颗粒法制粒压片

B、包糖衣

C、包肠溶衣

D、双层片工艺

E、粉末直接压片法

A.将修改堆栈锁定到当前的对象上，无法再为当前物体增加修改器。

B.将修改堆栈锁定到当前的对象上，即使在场景中选择了其他对象，命令面板仍会显示锁定的对象修改命令，可以任意调节它的参数。

C.将修改堆栈锁定到当前的对象上，无法修改堆栈中当前物体的修改器参数。

D.如果当前处在修改堆栈的中间或底层，则使用［锁定堆栈（PinStack）］时，无法返回顶层对修改器进行操作。

A.一般数控机床

B.数控加工中心

C.经济数控机床

D.多轴联动数控机床

烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括()。A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间

B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是()。A、31～40℃

B、21～30℃

C、10℃以内

D、11～20℃

E、5℃

在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是()。A、烤瓷失败

B、烤瓷失败，烤瓷件报废

C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连

D、炉膛报废

E、发热体损坏

在统计检验中是否选用非参数方法

A、根据研究目的和数据特征作决定

B、计算出几个统计量得出初步结论后进行选择

C、看哪个统计结论符合专业理论

D、要看哪个P值更小

E、只看研究目的

项

A.0.5mm /d

B.1.5mm/d

C.2.0mm/d

D.1.0mm/d

E.2.5mm/d