电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为g_m=0.8mS，r_ds=200千欧;T₂的β=40，r_be=1

号等效电路;(2)求电压增益A_F;(3)求放大器的输入电阻R_i。

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：

(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？

(2) 它的夹断电压V_p和饱和漏极电流I_DSS各是多少？

一N沟道EMOSFET组成的电路如图LP3-8所示,要求场效应管工作于饱和区,已知管子参数设λ=0,试设计该电路.

在如图题2-10所示电路中，β=100，其他参数如图所示。

(1)求静态工作点I_BQ、I_CQ、I_CEQ。

(2)画出中频微变等效电路。

(3)求电压放大倍数。

(4)求输入电阻r_i和输出电阻r_o。

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？

等效电路;(3)估算BJT的输入电阻r_be;(4)如输出端接入4千欧的负载电阻，计算A_e=v₀/v_i及A_en=v₀/v_s。

欧。场效应管的g_m=11.3mS，r_ds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益A_rs=v₀/v_s、输入电阻R₁和输出电阻R₀。