金属基底冠除气目的,下列说法正确的是
A.去除铸造过程中形成的氧化膜
B.去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
C.排除合金中残留的气体
D.避免瓷熔附时出现气泡
E.在基底表面形成氧化膜
A.去除铸造过程中形成的氧化膜
B.去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
C.排除合金中残留的气体
D.避免瓷熔附时出现气泡
E.在基底表面形成氧化膜
第1题
金属烤瓷冠桥修复中,除气、预氧化的目的是
A、增强金-瓷的结合强度
B、增强基底冠的强度
C、增加基底冠的厚度
D、利于遮色瓷的涂塑
E、增强瓷冠的光泽度
第2题
经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气,除气的目的是
A、加强金属底层冠的强度
B、改善陶瓷的强度
C、加强金-瓷结合力
D、改善金属表面色泽
E、加强陶瓷的对光通透性
第3题
通过对金属基底冠进行除气,预氧化操作不能达到的目的是
A.去除金属表面有机物
B.释放金属表层气体
C.释放金属内部应力
D.在金属表面形成氧化膜
E.降低金属热膨胀系数
第6题
通过对金属基底冠进行除气,预氧化操作不能达到的是
A.去除金属表面有机物
B.释放金属表层气体
C.释放金属内部应力
D.在金属表面形成氧化膜
E.降低金属热膨胀系数
第8题
金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度,在非真空状态下继续维持
A.0.5~1.0min
B.1~3min
C.5~10min
D.20~30min
E.30min以上
第9题
金属基底冠除气的方法是
A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min