题目内容
（请给出正确答案）
[主观题]
经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气的目的是A、加强金属底层冠的强度B、改善陶瓷
经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气的目的是
A、加强金属底层冠的强度
B、改善陶瓷的强度
C、加强金-瓷结合力
D、改善金属表面色泽
E、加强陶瓷的对光通透性
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题目内容
（请给出正确答案）
经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气的目的是
A、加强金属底层冠的强度
B、改善陶瓷的强度
C、加强金-瓷结合力
D、改善金属表面色泽
E、加强陶瓷的对光通透性
答案
更多“经超声清洁后的PFM金属基底放在烤瓷炉内加温除气，除气的目的是A、加强金属底层冠的强度B、改善陶瓷”相关的问题
第1题
患者，男，40岁，
缺失，余留牙无异常，咬合关系良好，要求做
非贵金属烤瓷桥修复，比色A3。目前国内制作PFM冠桥金属基底常用合金是A、钴铬合金
B、镍铬合金
C、贵金属烤瓷合金
D、银钯合金
E、铜基合金
PFM桥桥体的龈底形态宜选用A、鞍基式
B、单侧接触式
C、盖嵴式
D、船底式
E、悬空式
PFM全冠金属基底的厚度一般为A、0.1～0.2mm
B、0.2～0.3mm
C、0.3～0.5mm
D、0.5～0.8mm
E、＞0.8mm
制作3个单位以下PFM桥金属基底宜采用A、整体铸造法
B、分段铸造炉内前焊法
C、分段铸造炉内后焊法
D、分段铸造激光熔接法
E、以上均可
PFM连接体的位置较金属铸造桥的连接体位置A、偏颊侧
B、偏舌侧
C、偏龈底
D、偏
面
E、以上都不对
桥体的龈底形态宜选用A、鞍基式
B、单侧接触式
C、盖嵴式
D、船底式
E、悬空式
第2题
A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B.贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C.巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D.非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同
E.理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
第3题
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50～100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
第4题
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因()。
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混人杂质
第5题
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因的是
A、瓷粉堆塑时混入气泡
B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢
C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度
D、基底冠表面多方向打磨
E、瓷粉中混入杂质
第6题
A.合金与瓷粉应具有良好生物相容性
B.烤瓷粉颜色应具有可匹配性
C.瓷粉的热膨胀系数应略小于烤瓷合金者
D.金属基底的厚度不能过薄
E.烤瓷合金的熔点小于烤瓷粉的熔点
第7题
PFM冠牙本质、切端层出现一小气泡的最佳处理方法
A、从基底冠开始，重新制作
B、去除整个瓷面，基底冠处理后重新上瓷
C、切瓷，清洁后重新构筑体瓷、切瓷
D、切瓷与修补瓷的混合瓷，进炉烧烤
E、增高温度，再进炉烧烤
第8题
PFM冠切端瓷面剥脱（包括不透明层）的最佳处理方法
A、从基底冠开始，重新制作
B、去除整个瓷面，基底冠处理后重新上瓷
C、切瓷，清洁后重新构筑体瓷、切瓷
D、切瓷与修补瓷的混合瓷，进炉烧烤
E、增高温度，再进炉烧烤
第9题
关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是
A、化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分
B、金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合
C、基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利
D、金瓷结合界面间存在分子间力
E、贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
第10题
关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是
A、化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分
B、金属－瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合
C、基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利
D、金瓷结合界面间存在分子间力
E、贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
