第1题
第2题
第3题
A.四层三端器件
B.三层四端器件
C.四个PN结的器件
D.电压驱动型器件
第4题
A.硅元素
B.由PN结构成的二极管
C.硅晶圆
D.门电路
第5题
A.高掺杂
B.低掺杂
C.不掺杂
第6题
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第7题
A.变窄
B.变宽
C.基本不变
D.不确定
第8题
第9题
第10题
A.P型半导体
B.N型半导体
C.P型半导体和N型半导体
D.PN结
第11题
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