MOS管沟道电容的平均分布情况取决于工作区域等因素，其中，MOS管处于截止区时，CGC主要来自（);MOS处于饱和区时，CGC主要来自（)。‌

A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低

B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C.最高振荡频率与器件跨导成正比

D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

A.漏端，漏端

B.漏端，源端

C.源端，漏端

D.源端，源端

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

A.采用应力工程，提高载流子迁移率

B.提高跨导

C.增加沟道长度

D.减小栅围寄生电容

图NP3-12为场效应管电容三点式振荡电路，已知MOS管的参数为，管子极问电容不计。电路元件R_O=1kΩ，C_O为隔直流电容，C_S为旁路电容，R_C1、R_C2阻值很大，可忽略不计，设λ=0，试用工程估算法求满足起振条件的V_CSmin值，并指出该振荡器足否有栅极电流。

A.在较大负电压时，C为常数值Cox

B.当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容

C.当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值

D.当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值