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[单选题]

n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（)。

A.此时满足条件

B.沟道夹断点从源端向漏端移动

C.沟道夹断点电压为

D.沟道夹断区为耗尽区

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发布时间：2022-08-22

更多“n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是()。”相关的问题

第1题

要迫使MOS管工作在饱和区，可以在工作时将栅和源短接在一起，则沟道总是被夹断的。（)

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第2题

图LP3-16所示为采用非线性补偿的有源电阻器,N沟道增强型MOS管T₁、T₂工作在变阻区,试证

明:

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第3题

增强型场MOS管的开启电压是指当漏源电压一定时，使漏极电流不为零所对应的______。耗尽型MOS管的______的定义为漏源电压一定时，使漏极电流近似为零所对应栅源电压。

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第4题

以下各项中不是n沟耗尽型MOS管形成原因的是（)。

A.氧化层正电荷控制不当

B.衬底材料掺杂浓度选择不妥

C.源漏材料掺杂浓度选择不妥

D.以上都是形成的原因

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第5题

当衬源零偏时，某NMOS管的阈值电压为1V。现将该MOS管衬底接地，源接0.5V，则恰好能使该MOS管开启的栅电位最有可能是（）。

A.0.5V

B.1V

C.1.5V

D.1.8V

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第6题

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V≇

已知N沟道增强型MOSFET的μ=1000cm²/V.s,

C_v=3x10^-8F/cm²,W/l=1/1.47,|V_A|=200V,V_DS=10V,工作在饱和区,试求:(1)漏极电流I_DQ分别为1mA、10mA时相应的跨导gm,输出电阻r_ds,放大因子μ.(2)当V_DS增加10%时,相应的I_DQ值.(3)画出小信号电路模型.

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第7题

串级电流源电路如图题7.1.3所示，NMOS管都工作在饱和放大区，其V_TN=0.6V，K'n=μ_nc01=

160μA/V²，λ_n=1/10V'L=1μm，W₁=W₃=4μm，W₂=W₄=40μm，电路中I_REF=20μA，(1)求输出电流I₀、T₂和T₄的V_GS2、V_GS4，保证电路工作的最小输出电压V_omin的值;(2)求g_m2，g_m和r₀₂、r₀₄的值，以及电路输出电阻R₀的值。

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第8题

以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（)。

A.NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器

B.当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时，输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用

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第9题

MOS管是一个几端器件（）？

A.3端

B.4端

C.5端

D.2端

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第10题

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R≇

电路如图题6.4.5所示，其中V_DD=5V，R_si=2千欧，R_g1=60千欧，R_g2=40千欧，R_d=R_L=5.1 千欧，MOS管参数为K_n=0.8mA/V²，V_TN=1V，λ=0，C_gn=1pF，C_gd=0.4pF。试求该电路的中频源电压增益A_rSM和源电压增益的上限频率f_H。