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[主观题]

假定反向器在理想的VDD/2时转换,忽略沟道长度调制和寄生效应,根据下面的传输门电路原理图回答问题。(1)电路的功能是什么?(2)说明电路的静态功耗是否为零,并解释原因。假定反向器在理想的VDD/2时转换,忽略沟道长度调制和寄生效应,根据下面的传输门电路原理图回答问题。

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第1题

在图P9.6的单稳态电路中,已知CM0S门电路G1和G2的电源电压VDD等于5V,高电平输出电阻R

在图P9.6的单稳态电路中,已知CM0S门电路G1和G2的电源电压VDD等于5V,

高电平输出电阻RON(P)=150Ω,VTH=VDD/2。若R=11kΩ,C=0.001μF,试求输出脉冲的宽度

和电路的分辩时间。假定触发脉冲的高电平持续时间远小于输出脉冲的宽度。

在图P9.6的单稳态电路中,已知CM0S门电路G1和G2的电源电压VDD等于5V,高电平输出电阻R在

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第2题

变压器二次侧有中心抽头的全波整流电路如图题11.1.1所示,二次侧电源电压为的v2a=-v2b=
2V2sinwt,假定忽略二极管的正向压降和变压器内阻:(1)试画出v2a,v2b,iD1,iD2,iL,vL及二极管承受的反向电压vR的波形;(2)已知V2(有效值),求VL、IL,(均为平均值);(3)计算整流二极管的平均电流ID,最大反向电压VRM;(4)若已知VL=30V,IL= 80mA,试计算V2a,V2b的值,并选择整流二极管。

变压器二次侧有中心抽头的全波整流电路如图题11.1.1所示,二次侧电源电压为的v2a=-v2b=2V

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第3题

在CMOS门电路中,有时采用图3.5.5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a),(b)所示电路的逻辑功能,写

在CMOS门电路中,有时采用图3.5.5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a),(b)所示电路的逻辑功能,写出Y的逻辑表达式。假定VDD=10 V,二极管的正向导通压降VD=0.7 V。

在CMOS门电路中,有时采用图3.5.5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a),(b)所示电路的逻辑

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第4题

以下关于MOS倒相器的说法不正确的是()。

A.NMOS漏极接VDD,源极加一个负载电阻,即构成一个倒相器

B.当VGS=0,NMOS倒相器处于截止状态,VDS接近VDD

C.当NMOS管导通时,输出电压VD下降

D.管子工作于截止与导通两个状态,故倒相器起了开关的作用

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第5题

在半波整流电路中,忽略二极管的正向压降,二极管承受的最大反向电压是()。

A.U2

B.小于U2

C.大于U2

D.2U2

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第6题

555定时器组成施密特器时,应将()复位端接电源电压VDD,定时器输出OUT为施密特触发器输出端。
555定时器组成施密特器时,应将()复位端接电源电压VDD,定时器输出OUT为施密特触发器输出端。

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第7题

在下图所示的电路,已知输入电压ui=10sinω(V),若忽略二极管的正向压降和反向电流,试画出两种电路输出电压的

在下图所示的电路,已知输入电压ui=10sinω(V),若忽略二极管的正向压降和反向电流,试画出两种电路输出电压的波形,并注明二极管导通和截止的时间区间。

在下图所示的电路,已知输入电压ui=10sinω(V),若忽略二极管的正向压降和反向电流,试画出两种

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第8题

互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值,忽略UCES时的效率约为()。

A.30%

B.60%

C.85%

D.78.5%

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第9题

假定某市场需求函数为Qd=20-2P,当价格为2时的需求价格弹性绝对值为()。

A.1

B.0.25

C.0.5

D.0.75

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第10题

在单向板肋梁楼盖的计算假定中,假定支座没有竖向位移且可以自由转动,下列说法错误的是()。

A.忽略主梁变形,将导致次梁跨中弯矩偏小,主梁跨中弯矩偏大

B.忽略次梁变形,将导致次梁跨中弯矩偏小,板跨中弯矩偏大

C.假定支座可以自由转动,实际是忽略了次梁对板,主梁对次梁,柱对主梁的转动约束能力

D.假定支座处没有竖向位移,实际上忽略了次梁、主梁、柱的竖向变形分别对板、次梁、主梁的影响

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第11题

理想表面结构是一种理论上的结构完整的二维点阵平面,忽略了晶体内部周期性热场在晶体中断的影响,也忽略了表面上原子的热运动以及出现的缺陷和扩散现象,又忽略了表面外界环境的作用。()
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