题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
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A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
第1题
A.多由抑制性中间神经元返回的冲动产生
B.Cl-通道开放可降低IPSP
C.IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递
D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E.神经元产生去极化性抑制
第2题
A.突触前末梢超极化
B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜超极化
E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大
第3题
下列关于神经肌肉接头的兴奋传递过程的叙述,正确的是
A.运动神经元兴奋,Na+经前膜内流
B.小泡移向前膜并释放乙酰胆碱
C.递质与接头后膜上N-型受体结合
D.接头后膜对Cl-通透性大大增加
E.接头后膜产生IPSP
第4题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
第9题
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
E.Mg2+