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[单选题]

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

A.突触前末梢去极化

B.Ca2+由膜内进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

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更多“关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的A.突触前末梢去极化B.Ca2+由膜内进入”相关的问题

第1题

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项正确:()

A.多由抑制性中间神经元返回的冲动产生

B.Cl-通道开放可降低IPSP

C.IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递

D.IPSP使神经元的兴奋性增加

E.神经元产生去极化性抑制

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第2题

关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的叙述是()

A.突触前末梢超极化

B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜超极化

E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大

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第3题

下列关于神经肌肉接头的兴奋传递过程的叙述,正确的是A.运动神经元兴奋,Na+经前膜内流B.小泡移向

下列关于神经肌肉接头的兴奋传递过程的叙述,正确的是

A.运动神经元兴奋,Na+经前膜内流

B.小泡移向前膜并释放乙酰胆碱

C.递质与接头后膜上N-型受体结合

D.接头后膜对Cl-通透性大大增加

E.接头后膜产生IPSP

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第4题

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突

关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。

A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

E.以上都不是

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第5题

IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?

A.Na+

B.K+

C.C1-

D.Ca2+

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第6题

产生抑制性突触后电位的主要离子流是()

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第7题

突触后膜的膜电位在递质作用下产生去极化改变,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性下降,这种电位变化称为IPSP。()
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第8题

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+

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第9题

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.Mg2+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.Mg2+

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