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[多选题]

造成崩单晶的原因有()

A.三点一线偏移

B.工作轨道压爪偏移

C.设备出料设置不到位

D.来料为续投兰膜,存在崩单晶

答案
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更多“造成崩单晶的原因有()”相关的问题

第1题

造成崩单晶的潜在原因有()。

A.三点一线偏移

B.粘接头故障

C.胶量过大

D.来料异常

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第2题

造成顶针痕迹的潜在原因有()。

A.顶针帽选用错误

B.顶针高度调试不当

C.三点一线偏移

D.顶针规格选用错误

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第3题

以下异常可通过45X显微镜发现的有()

A.崩单晶

B.银浆沾污

C.粘边缘片

D.芯片压伤

E.粘墨点

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第4题

作业员对卸下的兰膜检查项目有()。

A.漏粘好芯片

B.顶针印迹偏移

C.背崩

D.粘边缘片

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第5题

生产组长对卸下兰膜进行检查的项目有()

A.背崩

B.粘边缘片

C.背银脱落

D.顶针位置偏移

E.顶针平整度(多顶针系统)

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第6题

颈缘崩瓷造成的原因A、颈缘瓷过长B、颈缘瓷过短C、瓷层过厚D、瓷层过薄E、基底冠过厚

颈缘崩瓷造成的原因

A、颈缘瓷过长

B、颈缘瓷过短

C、瓷层过厚

D、瓷层过薄

E、基底冠过厚

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第7题

内螺纹铜管内壁划伤下列不是造成划伤的是()

A.螺纹芯头崩齿

B.螺纹芯头本身有缺陷

C.紧固芯头两端螺丝刮伤

D.减径模有颗粒杂质

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第8题

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。

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第9题

AD838设备在运行中,出现报警“DieRotationError”的原因有()。

A.三点偏移

B.粘接高度不正确

C.捡拾高度不正确

D.粘接延时过大

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第10题

原子的排列方式有()。

A.非晶

B.多晶

C.单晶

D.双晶

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第11题

石英有多种结晶形态,单晶、适明、结晶程度较好的石英称为水晶。()
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