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[主观题]
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V
图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,
试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
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图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出VGS=2.5V、3V时的V0值,并进行分析.
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更多“图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,试分别求出V”相关的问题
第1题
在题7.5图所示的分压式偏置电路中，三极管为硅管，β=40，UBE=0.7V。
(1)估算电路的静态工作点;
(2)若接入5kΩ的负载电阻，求电压放大倍数，输入电阻和输出电阻;
(3)若射极傍路电容断开，重复(2)中的计算。
第2题
第3题
题7-13图(a)所示曲柄肘式压床，已知曲柄OA长为r，以匀角速度w转动，AB=BC=BD=l,当曲柄与水平线成30°角时，连杆AB处于水平位置，而肘杆BD与铅垂线也成30°角。试求机构在图示位置时连杆AB和BC的角速度及冲头C的速度。
第4题
(1)若输入电压幅值足够大,则电路的最大输出功率为多少？
(2)为了提高输入电阻,稳定输出电压,且减小非线性失真,应引
(3)若Ui=0.1V时,U0=5V,则反馈网络中电阻的取值约为多少？
第7题
在图题9.2.1所示的施密特触发器电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ。G1、G2为
(1)试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压ΔVT。
(2)若电路的输入信号v1波形如图题9.2.1(b)所示，试画出相应的输出电压v0的波形。
第8题
题9.20图(a)所示电路中，输入电压ur的波形如图(b)所示，已知电容的初始电压为零。(1)指出A1、A2、A3各组成何种电路;(2)画出各输出电压u01、u02和u0的波形，标出有关电压值。
第9题
)限幅特性曲线;(2)若V1=V10sinwt,Vm=5V,试画出υ0的波形.
第11题
已知TTL与非门的IOL=15mA(灌电流),IOH=400μA(拉电流),UOH=3.6V,UOL=0.3V;发光二极管正向导通电压UD=2V,正向电流ID=5~10mA:三极管导通时UBE=0.7V,饱和压降UCES=0.3V,β=50.求图2.16所示两个发光二极管驱动电路中R及RB的取值范围(不必规范化).
