材料的晶格类型尽管会影响位错运动，但不会影响其屈服强度。（)

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

A.两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠，每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄，都可以和电子的德布罗意波长相比，称这种结构为超晶格结构

B.两种不同的半导体薄层周期性地重叠，若窄带材料(势阱)的厚度很小，可以和电子的德布罗意波长相比，而宽带材料(势垒)的厚度较大，称这种结构为超晶格结构

C.能够对电子(空穴)的运动产生某种约束，使其能量量子化的势场就是超晶格结构

D.双异质结形成的结构，如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构

A.转座作用不会影响插入位点邻近DNA的表达

B.转座需要转座酶的催化

C.转座作用会导致DNA突变

D.转座作用会导致DNA重排

女，28岁，产后第二天咨询护士其腹部妊娠纹是否会消失，以下正确的回答是

A．会消失，但必需勤做腹部收缩运动

B．会消失，多涂乳液可促进提早消失

C．不会消失，但会变成银白色

D．不会消失，且颜色维持原状

E．不会消失，且颜色越来越深

A.不会导致Q—T间期延长及室性心律失常

B.不会导致催乳素增多

C.不会导致锥体外系反应

D.对结肠运动无影响

E.不会促进乙酰胆碱的释放

此题为判断题(对，错)。

此题为判断题(对，错)。

A、会向前走即会倒退着走

B、会走即会停下来

C、待肢体的粗大动作发育完成后，手的精细动作才开始发育

D、与训练有关

E、2岁的小儿若仍不会走路也不一定不正常，因为运动发育有个体差异，还受遗传影响

此题为判断题(对，错)。