题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
考虑寄生电容CGD起的是___作用,CGD越大,最高振荡频率fM越___。
A.正反馈,大
B.正反馈,小
C.负反馈,大
D.负反馈,小
答案
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A.正反馈,大
B.正反馈,小
C.负反馈,大
D.负反馈,小
第1题
A.如果考虑寄生电容,相比理想情况,最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
第3题
A.绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘,以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路
B.当线圈流过瞬时大电流时,磁芯出现饱和
C.线圈中的磁芯应与线圈绝缘,以防止在瞬时过电压作用下两者之间发生击穿
D.线圈应尽可能绕制单层,这样做可减小线圈的寄生电容,增强线圈对瞬时过电压的而授能力
第5题
A.地震作用的方向是随机的,因此所有的结构设计中必须考虑水平、竖向和扭转地震作用
B.实际地震中,水平地震作用在结构的两个主轴方向
C.在高烈度地区,竖向地震作用对结构起主要作用
D.如果结构布置规则、对称,则可以不考虑扭转地震作用的影响