题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于NPN型BJT共射集连接输出特性曲线，下列说法错误的是（）。
A.输出特性曲线接近于水平的部分是放大区
B.截止区是指Ib=0的曲线以下的区域
C.饱和区是指三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域
D.当Ib一定时，Vce约大于1V后，即便Vce继续增加，Ic不再有明显增加，因此它具有恒流特性
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A.输出特性曲线接近于水平的部分是放大区
B.截止区是指Ib=0的曲线以下的区域
C.饱和区是指三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域
D.当Ib一定时，Vce约大于1V后，即便Vce继续增加，Ic不再有明显增加，因此它具有恒流特性
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第5题
A.共射极放大电路的电压和电流增益都大于1
B.共射极放大电路常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合
C.共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大
D.共基极放电电路只有电压放大作用，没有电流放大
第7题
A.增大基极上偏执电阻RB1的阻值
B.增大基极下偏执电阻RB2的阻值
C.减小三极管的ß值
D.增大发射极电阻的阻值
E.减小发射极电阻的阻值
第8题
A.Early电压与发射结电压和集电结电压都有关
B.Early电压与发射结电压有关，与集电结电压无关
C.Early电压与集电结电压有关，与发射结电压无关
D.Early电压与基区少子浓度有关
第10题
求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，IDQ=0.1mA，VTN=0.5V，K'n=387μA/V2，沟道长度调制效应可忽略。试求VGSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的lEQ=0.1mA，IES=6x10-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求VBEQ的值。
第11题
A.采用PNP和NPN型晶体管集电极跟随器
B.采用NPN和PNP型晶体管射极跟随器
C.全部采用NPN型晶体管
D.全部采用PNP型晶体管
