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烧结点火温度原则上应低于()而接近()。
烧结点火温度原则上应低于（)而接近（)。
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第1题
A.正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡
B.烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃
C.烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外
D.烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊
E.烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
第2题
当烤瓷与金属熔附时，瓷应具有
A、高熔附温度
B、高熔附膨胀
C、热膨胀率接近并低于金属
D、热膨胀率接近并高于金属
E、热膨胀率等于金属
第3题
上釉的烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第5题
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
第6题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是()。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第7题
金属基底冠除气的方法是
A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
第8题
A.50℃
B.45℃
C.30℃
D.10℃
E.20℃
第9题
上釉的烧结温度是
A．低于体瓷温度5℃
B．低于体瓷温度10℃
C．低于体瓷温度20℃
D．高于体瓷温度5℃
E．高于体瓷温度10℃
第10题
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第11题
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
