下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

A、是局部去极化电位

B、具有"全或无"性质

C、是局部超极化电位

D、由突触前膜递质释放量减少所致

E、是局部去极化电位

A.是局部去极化电位

B.具有"全或无"性质

C.是局部超极化电位

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致

关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。

A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

E.以上都不是

A.突触前末梢超极化

B.突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大

C.突触后膜去极化

D.突触后膜超极化

E.突触后膜对Na+、 K+的通透性增大

突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的

A.电位大小随刺激的强度改变

B.有时间总和

C.有空间总和

D.是"全或无"的

E.以电紧张方式扩布

对于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是

A．突触前轴突末梢超极化

B．对Ca2+、K+通透性增大

C．突触后膜出现超极化

D．突触后膜去极化

E．突触前膜去极化

A.多由抑制性中间神经元返回的冲动产生

B.Cl-通道开放可降低IPSP

C.IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递

D.IPSP使神经元的兴奋性增加

E.神经元产生去极化性抑制

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A．K+

B．Na+

C．Ca2+

D．Cl-

E．H+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

A．K+

B．Na+

C．Ca2+

D．Cl-

E．Mg2+