半导体界面附近的固定正电荷来源于（)

A.低温，(100)

B.低温，(111)

C.高温，(100)

D.高温，(110)

,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？

(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态

D.半导体材料的表面吸附

A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配

B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态

C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态

D.材料表面的化学吸附

E.材料表面的原子重构

A.抛物线性关系

B.线性关系

C.幂函数关系

D.指数关系

A.金属和半导体之间存在功函数差

B.绝缘层中存在电荷

C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态

D.外加偏压

A.施主型

B.受主型

C.可以是施主型，也可以是受主型

D.施主型受主型都有

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

可能发生骨坏死的是

A．关节内骨折，长期固定

B．关节附近骨折，血肿较大

C．骨折合并大血管损伤

D．股骨颈囊内型骨折

E．长骨多段骨折

、周围神经炎及脱发等症。后经上级疾控中心调查，在土壤、河水、蔬菜中均发现有病因物质，并验证此病因物质来源于矿渣此矿渣最可能来源于A、铁矿

B、铬矿

C、镉矿

D、铅、锌矿

E、氟磷矿

此病最可能是A、铅中毒

B、铬中毒

C、镉中毒

D、铊中毒

E、氟中毒