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[单选题]

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

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发布时间：2022-07-19

更多“以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。()”相关的问题

第1题

漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。（)

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第2题

下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率（）。

A.提高发射区的掺杂浓度

B.采用宽禁带基区材料

C.减小基区掺杂浓度

D.减少发射结复合电流

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第3题

考察PNP型双极型晶体管内部载流子的输运过程，发射效率项定义为注入到基区的电子电流与发射极总电流之比。（)

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第4题

测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为（)。

A.NPN型锗管

B.NPN型硅管

C.PNP型硅管

D.PNP型锗管

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第5题

下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点（）。

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

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第6题

晶体管的类型分成PNP和NPN型。（)

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第7题

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V² ，

求解下列问题：（1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，

求解下列问题：(1)已知一NMOS管的W/L=10，I_DQ=0.1mA，V_TN=0.5V，K'n=387μA/V²，沟道长度调制效应可忽略。试求V_GSQ的值。(2)已知一NPN型BJT的l_EQ=0.1mA，I_ES=6x10^-15mA ，基区宽度调制效应可忽略。试求V_BEQ的值。

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第8题

有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位(对"地")分别如

有两个晶体管分别接在电路中，当工作在放大状态时测得三个管脚的电位（对"地")分别如

下表所列，试判别晶体管的三个电极及类型(硅管，锗管，NPN型管，PNP型管)。

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第9题

晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（)。

A.硅管

B.锗管

C.NPN管

D.PNP管

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第10题

晶体管能够放大的内部条件是（)。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

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第11题

大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。（)

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