下列扩散杂质源中，()不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

A.锡

B.硫

C.硼

D.磷

A.施主能级，导带底

B.施主能级，价带顶

C.受主能级，导带底

D.受主能级，价带顶

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

A.本征半导体中掺入施主杂质

B.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度

C.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度小于受主浓度

D.半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度

E.本征半导体中掺入受主杂质

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

A.旋涂源扩散

B.固态源

C.气态源

D.液态源