材料受扭转作用破坏时,低碳钢是由()破坏,铸铁是由()破坏。
A.剪应力
B.压应力
C.拉应力
D.弯曲应力
A.剪应力
B.压应力
C.拉应力
D.弯曲应力
第1题
栓剂的特点不包括() 查看材料
A.可避免药物受胃肠道pH和酶的破坏
B.在腔道局部起治疗作用
C.药物大部分不受肝脏的首过作用破坏
D.经腔道吸收发挥全身治疗作用
E.栓剂只有局部作用
第2题
直径d=50mm的圆轴,两端受M=1KN,m的外力偶距的作用而扭转,材料剪切模量G=80GPa,试求:(1)如图所示横截面半径为处的切应力是()Mpa(取整数) 。
第4题
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用
第5题
A.只在肠道起局部治疗作用
B.适于不宜或不愿口服给药病人的用药
C.药物受肝脏首过作用影响小
D.可避免刺激性药物对胃黏膜的刺激
E.药物不受胃肠道酶的破坏
第10题
根据下面选项,回答题:
A.肠溶片
B.分散片
C.泡腾片
D.舌下
E.缓释片
能够避免药物受胃肠液及酶的破坏而迅速起效的片剂是
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