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[单选题]

一般认为烧结温度低于（)为低温烧结

A.1300℃

B.1000℃

C.1500℃

答案

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发布时间：2022-05-24

更多“一般认为烧结温度低于()为低温烧结”相关的问题

第1题

目前一般认为烧结温度低于()℃为低温烧结。

目前一般认为烧结温度低于（)℃为低温烧结。

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第2题

低温烧结的烧结温度为1200度左右。（)

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第3题

关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是()。

A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm

B.机械性的结合力起最大的作用

C.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm

D.贵金属合金上瓷前需预氧化

E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度

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第4题

低水低炭厚料层烧结，烧结温度曲线由熔融转变为低温型,烧结最温度控制在1250£1280℃,并保持1100℃以上温度的时间在（)以上。

A.5min

B.10min

C.15min

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第5题

低温烧结的温度应控制在（)℃

A.1250~1300

B.1250~1400

C.1150~1250

D.1250~1500

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第6题

上釉的烧结温度是（)。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体

上釉的烧结温度是()。

A.低于体瓷烧结温度5℃

B.低于体瓷烧结温度10℃

C.高于体瓷烧结温度5℃

D.高于体瓷烧结温度10℃

E.以上均不正确

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第7题

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、

PFM冠上釉时的炉温是

A、与体瓷的烧结温度相同

B、低于体瓷烧结温度6～8℃

C、低于体瓷烧结温度10～20℃

D、高于体瓷烧结温度6～8℃

E、高于体瓷烧结温度10～20℃

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第8题

若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（)。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体

若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是()。

A.低于体瓷烧结温度5℃

B.低于体瓷烧结温度10℃

C.高于体瓷烧结温度5℃

D.高于体瓷烧结温度10℃

E.以上均不正确

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第9题

金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保

金属基底冠除气的方法是

A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min

D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min

E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

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第10题

烧结点火温度原则上应低于()而接近()。

烧结点火温度原则上应低于（)而接近（)。

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第11题

自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一

自身釉烧结的温度是

A.低于体瓷烧结温度6～8℃

B.高于体瓷烧结温度10℃

C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间

D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡

E.防止磨料成分污染金属表面

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